Перейти к содержанию

Главное меню:

Территория электротехнической информации WEBSOR

Найти

Вторичная электронная эмиссия

Основы > Электрические процессы в вакууме и газах

ВТОРИЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ

Вторичной электронной эмиссией называется процесс выхода электронов из твердых или жидких тел под действием бомбардировки их поверхности первичными электронами. Вторичная эмиссия характеризуется коэффициентом вторичной эмиссии :



где
n2 - число эмиттированных вторичных электронов; n1 - число пришедших на поверхность первичных электронов; I2 и I1 - вторичный и первичный токи.
Величина
зависит от энергии первичных электронов. С ростом энергии первичных электронов, соответствующей U1 она быстро увеличивается, достигает максимума при некотором U1макс и далее медленно убывает. В табл. 3-7 даны для ряда металлов.
На рис. 3-11 показан характер зависимости
от угла падения первичных электронов на поверхность мишени. Эта зависимость хорошо описывается эмпирической формулой



где В и
- постоянные для данного материала катода при определенной энергии первичных электронов; - угол падения первичных электронов, отсчитанный от нормали к поверхности.
Из табл. 3-7 видно, что у металлов сГмакс не превышает величин порядка 1,5. Поэтому в приборах, где явление вторичной эмиссии используется для усиления тока (фотоэлектронные умножители и др.), применяются полупроводниковые вторично-электронные катоды, у которых
достигает 10-15.
В табл. 3-8 приведены значения
и для современных вторично-электронных катодов.
Для распределения вторичных электронов по энергиям характерно наличие широкого пика в области малых энергий (до 40-50 В), относящегося к истинно вторичным электронам, и узкого пика при U
2, соответствующем энергии первичных электронов U1. Этот узкий пик связан с наличием во вторичном токе упруго отраженных от мишени первичных электронов. Распределение вторичных электронов по энергиям для чистых металлов показано на рис. 3-12 и для кислородно-цезиевого катода - на рис. 3-13.
В случае чистых металлов а весьма мало зависит от температуры. У сложных полупроводниковых катодов
довольно сильно изменяется при увеличении температуры (за исключением температуростоиких кислородно-магниевых и серебряно-магниевых катодов).

Таблица 3.7

Элемент

Атомный
номер элемента

Li
Be
Mg
Al
К
Fe
Ni
Cu
Rb
Mo
Ag
Sn
Cs
Ba
Ta
W
Pt
Au
Hg
Pb
Bi
Th

3
4
12
13
19
26
28
29
37
42
47
50
55
56
73
74
78
79
80
82
83
90

0,55
0,9
0,95
1,0
0,69
1,32
1,25
1,35
0,85
1,22
1,47
1,35
0,9
0,9
1,35
1,43
1,78
1,5
1,75
1,08
1,35
1,1

100
200
300
300
300
400
500
600
400
400
800
500
400
400
600
700
700
800
700
500
500
800

 

Рис. 3-11.

Зависимость от угла падения первичных электронов (за 100% принят коэффициент вторичной эмиссии при перпендикулярном падении первичных электронов).

Рис. 3-12. Распределение вторичных электронов по энергиям для чистых металлов.

Таблица 3.8

Зависимость для вторично-электронных катодов

Тип эмиттера

Примечание

Сурьмяно-цезиевый
Ag- Cs20-Cs
Си-Al-MgO
Cu-Al-BeO
Ag-MgO
Ni-BeO

8-11
8-10
12-15
8-12
8
12

400-600
400-600
700-900
700-900
-
300-400

-
-
Допустимая температура до +450 °С
Допустимая температура до 600 °С
-
Температуростойкий, пребывание

на воздухе не изменяет

Ni-ZrO
Al-MgO

4
11-12

800
800

Повышенная температурная стойкость

 

Рис. 3-13. Распределение вторичных электронов по энергиям для кислородно-цезиевого катода.

Основы | Электромашины | Оборудование | Нормы | Подстанция | Электроснабжение | Освещение | Воздушная линия | Карта сайта


Назад к содержанию | Назад к главному меню